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本申请属于半导体激光器技术领域，特别是涉及一种非稳腔半导体激光器及其制备方法。目前的非稳腔半导体激光器的制作过程涉及复杂的曲线腔面工艺，增加了器件的成本和工艺复杂性，难以实现推广。本申请提供了一种非稳腔半导体激光器，包括依次排列的第一腔面膜、激光器外延结构和第二腔面膜，所述激光器外延结构设置有曲线光栅、深刻蚀槽、不规则四边形电极区和锥形电极区。曲线光栅与第二腔面膜构成非稳定谐振腔，形成了一种基于侧向泄露模式的激光输出机制，有利于提升激光增益介质利用率并抑制空间烧孔和光丝；光栅结构及区域的特别设置
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113794103 B
(45)授权公告日 2022.07.22
(21)申请号 202111021119.3 H01S 5/028 (2006.01)
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