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本发明公开了一种在二维材料CVD生长中掺入稀土材料的方法，通过在二维材料生长过程中掺入稀土元素，达到了提高二维材料性能的目的。具体包括三个主要阶段：第一阶段是准备材料；第二阶段放置三种粉源，设置三种粉源之间的距离，设置衬底材料与WO3和Er2O3混合粉源之间的垂直高度；第三阶段使用化学气相沉积方法生长掺铒WS2(Er)二维材料，该阶段设定三种粉源的升温速率和化学反应期间三种粉源的保温温度，设置气体流速。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113789574 B
(45)授权公告日 2022.08.09
(21)申请号 202111032304.2 (51)Int.Cl.
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