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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底、鳍部和位于鳍部上的沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层和沟道层，沟道叠层数量为两个，靠近沟道叠层顶部的牺牲层为第一牺牲层，剩余为第二牺牲层，沟道叠层数量大于等于三个，至少一个靠近沟道叠层顶部的为第一牺牲层，剩余为第二牺牲层；形成伪栅结构；刻蚀伪栅结构两侧的沟道叠层形成凹槽；刻蚀凹槽露出的部分第一牺牲层形成第一沟槽；在第一沟槽中形成第一阻挡层；刻蚀凹槽露出的部分第二牺牲层形成第二沟槽，第二沟槽大于第一沟槽的深度；在第二沟槽中形成第二阻挡层；在凹槽内形成源漏掺
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110581173 A
(43)申请公布日
2019.12.17
(21)申请号 20181
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