ESD保护电路设计.pdfVIP

esd ESD 的危害。ESD基本上可以分为三种类型，一是各种机器引起的 ESD，二 是家俱移动或设备移动引起的 ESD，三是人体接触或设备移动引起的 ESD。这三 种 ESD 对于半导体器件的生产和电子产品的生产都非常重要。电子产品在使用过 程最容易受到第三种 ESD 的损坏，便携式电子产品尤其容易受到人体接触产生的 ESD 的损坏。在一般情况下ESD 会损坏与之相连的接口器件，另一种情况是遭受 ESD 冲击后的器件可能不会立即损坏，而是性能下降导致产品过早出现故障。 静电放电（ESD）会给电子产品带来致命的危害，它不仅降低了产品的可靠 性，增加了维修成本，而且不符合欧洲共同体规定的工业标准 EN61000-4-2，产 品就不能够在欧洲销售。所以电子设备制造商通常会在电路设计的初期就考虑 E SD 保护。本文将讨论 ESD 保护电路的几种方法。 一个问题是 RS-232 接口电路中接收器对发送器产生交叉串扰。同类产品RS -232 接口电路中的ESD 保护结构可能对某种波形的ESD 或某个 ESD 冲击电压失 效，经过 ESD 冲击后在接收器输入端和发送器输出端之间形成通路，从而导致接 收器对发送器产生交调 （图 1）。如果 RS-232 接口电路中有关断电路，那么关 断期间经过 ESD 冲击后更容易产生交调。产生交调后将导致通信失败，而且即使 关断工作状态下发送器仍有输出，导致关断失效，使对方 RS-232 处在接收状态。 当集成电路 （IC）经受 ESD 时，放电回路的电阻通常都很小，无法限制放电 电流。例如将带静电的电缆插到电路接口上时，放电回路的电阻几乎为零，造成 高达数十安培的瞬间放电尖峰电流，流入相应的 IC 管脚。瞬间大电流会严重损 伤 IC，局部发热的热量甚至会融化硅片管芯。ESD对 IC 的损伤还包括内部金属 连接被烧断，钝化层受到破坏，晶体管单元被烧坏。ESD 还会引起 IC 的死锁 （L ATCHUP ）。这种效应和 CMOS 器件内部的类似可控硅的结构单元被激活有关。高 电压可激活这些结构，形成大电流信道 ，一般是从 VCC 到地 。串行接口器件的死 锁 电流可高达 1A 。死锁 电流会一直保持，直到器件被断电。不过到那时，IC通 常早已因过热而烧毁 了。ESD冲击后可能存在两个不易被发现的问题，一般用户 和 IEC 测试机构使用传统 的 “环路反馈方法”和 “插入方法”进行测试，通常检 测不出这两个问题。 另一个问题是 RS-232 接口电路对电源产生反向驱动。某些 RS-232 接口电路 中的ESD 保护结构经过 ESD 冲击后可能在输入端与供 电电源 VCC 之间形成电流通 路 （图 2），对供 电电源产生反向驱动。如果供 电电源没有吸入电流的能力 （通 常来讲 电源输出回路里有一个正向二极管），这将导致电源 电压 VCC 上升，从而 损坏 RS-232 接口电路和系统内的其它电路。因为 RS-232 接口电路输入端的电压 在 5V 到 25V 之间，使 VCC 有可能高于 9V，超 出电源 电压的最大范围而烧坏电路。 ESD 保护电路最有效的保护措施是介质隔离：用绝缘介质把内部电路和外界隔离 开。1mm 厚的普通塑料如 PVC，聚酯或 ABS 能够保护 8KV 的 ESD。但是实际的介 质不可能没有间隙和接缝，所以材料的蠕变和间隙距离非常重要。LCD 显示屏， 触摸屏等都有很厚的边角 （12mm ）隔离内部电路。 ESD 保护的第二个方法是 屏蔽，防止大的 ESD 电流冲击内部电路。ESD 冲击金属屏蔽外壳时，最初几毫秒 会比保护地 电压高出许多 ，屏蔽外壳 电压会随着 ESD 电荷 的转移而下降，所以最 初的几毫秒内会对内部电路产生二次 ESD 冲击，所以仅仅使用外部屏蔽还不够， 内部电路与屏蔽外壳必须共地，或者把内部电路进行介质隔离 。电气隔离也是抑 制 ESD 冲击的一种有效方法，PCB 板上安装光耦合器或者变压器，虽然不能完全 消除 ESD 的冲击，但是结合介质隔离和屏蔽可以很好的抑制 EDS 冲击，光耦合器 和变压器尤其适合电源部分。信号通路最好的隔离是光纤，无线和红外线方式。 在信号通路上使用的另一种保护方法是在每条信号线上外加阻容组件。串联 电阻能够限制尖峰电流，并联到地的电容则能限制瞬间的尖峰电压。这样做的成 本低，但是防护能