基于回旋型镭射轨迹优化X型镭射孔应力均匀性的方法.pdfVIP

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2023-07-05 发布于四川
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基于回旋型镭射轨迹优化X型镭射孔应力均匀性的方法.pdf

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本发明涉及印刷电路技术领域，具体涉及一种基于回旋型镭射轨迹优化X型镭射孔应力均匀性的方法。本发明利用回旋型镭射轨迹对芯板的正反两面进行镭射，包括如下步骤：S1、芯板正面的回旋型镭射；S2、芯板反面的回旋型镭射；S3、正反两面应力的改善：镭射烧断铜箔层Ⅰ、铜箔层Ⅱ和树脂层，轨迹部分Ⅰ的应力随着两圈加工过程中释放，且芯板随着回旋型镭射轨迹均匀收缩，正反两面的镭射孔Ⅰ与镭射孔Ⅱ形成应力均匀性的X型镭射孔。本发明回旋型镭射轨迹将芯板均匀受热，在正反面均形成相对闭合的状态，从而使铜箔与玻璃布后基板在受热后

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116390361 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310668593.8 (22)申请日 2023.06.07 (71)申请人淄博芯材集成电路有限责任公司地址