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1存储器 可擦除可编程只读存储器 (EPROM、EEPROM、Flash)可编程只读存储器(OTPROM)固定只读存储器(Mask ROM)只读存储器半导体集成电路JSIT2 VDDVDDW0W1W2W3B3 B2 B1 B0十四位数据输出半导体集成电路MASK ROM行 译 码存储 单 元 13存储 单 元 12存储单元0存储单元0JSIT列 译 码3/A1/A0 字线、位线交接点所连 接的每一个MOS管还通过 一个熔丝与位线相连。 在出厂前，所有的熔丝 都是连起来的，因此所 有存储单元都保存了 “0”这个数据；在用户 进行编程时，根据要求 利用专门的烧写工具把 不需要连接MOS管之前的 熔丝烧断，这样该存储 单元就可以改写为“1”VDDVDDW0W1W2W3B3 B2 B1 B0半导体集成电路OTP ROMJSIT4/A1/A0 这类存储器可以用紫外线或X射线将存储内容一次全部擦除，然 后再重新写入新的内容，但不能逐字擦除。由于这种存储器所 保存的信息是不挥发的，又具有反复擦写的功能半导体集成电路EPROMJSIT5 通过施加较高的电压可擦 除和重新编程。可以一次 性全部擦写，也可以逐字 、逐位或分区进行擦写， 并同时进行编程修改，因 此速度比EPROM要快得多半导体集成电路EEPROMJSIT6 Flash Memory闪存的存储单元类似于E2PROM，但工艺更先进，编程电压和 成本更低、读写速度更快(E2PROM是在字节水平上进行擦除 和重写，而闪存进行数据擦除时是以区块为单位的)，成为 目前发展最快、应用最广泛的存储器类型。半导体集成电路JSIT7 静态随机存取存储器 (SRAM)动态随机存取存储器 (DRAM)随机存取存储器半导体集成电路JSIT8 DRAM由门控管和存储电容构成，数据以电荷形式聚集在存储电 容上，如果存储电容上有电荷，表示存储数据“1”，否则 表示存储数据“0”。电容总是存在漏电，因此其上所保存 的信息不能长久保持，需要定期进行刷新，因此是一种动 态存储。半导体集成电路JSIT9 SRAM静态RAM不需要再生操作，因此也就不需要时钟，外围电路 要简单，工作状态较稳定，易于测试，使用方便。半导体集成电路JSIT10 ? 在进行该单元版图设 计过程中，必须确保 以上两个反相器以及 两个门控管在版图中 完全对称；? 另外还要注意六个管 子的宽长比，图中两 个反相器的P管W/L=0.8/0.8 ；N管为 1.2/0.6；两个门控管 的W/L=0.8/0.6；半导体集成电路JSIT11 JSIT感谢聆听！