材料科学基础材料的表面与界面.pptxVIP

材料科学基础材料的表面与界面第1页/共37页 材料的表面与界面123界面与组织形貌4复合体系的界面结合特性6高聚物的表面与界面张力5材料的复合原理7基础知识晶体中的界面结构晶体中界面的偏聚与迁移第2页/共37页 实际晶体不同相或同一相的不同取向区域之间总是存在分界面（面缺陷）。 按照界面两边状态可分为：表面：分界面一侧为气体或真空的界面；界面 晶界、亚晶界：多晶体材料内部成分、 结构相同而取向不同的晶粒（或亚晶）之间的界面；相界：指材料中不同相之间的界面。第3页/共37页 8.2 晶体中的界面结构8.2.1 界面的类型与结构Mg-3Al-0.8Zn合金中的晶界晶界 相界 Pb-Sn合金中的相界 第4页/共37页 8.2 晶体中的界面结构?第5页/共37页 8.2 晶体中的界面结构2、小角晶界 两个晶粒的位相差在10°以下。 典型－亚晶界 晶粒平均直径一般在μm量级，而亚晶粒的平均直径则通常在nm量级。 简单小角晶界模型：倾转晶界－由刃型位错构成扭转晶界－由螺型位错构成第6页/共37页 8.2 晶体中的界面结构（1）对称倾转晶界第7页/共37页 8.2 晶体中的界面结构实验观察到的对称倾转晶界第8页/共37页 8.2 晶体中的界面结构?小角对称倾转晶界位错模型第9页/共37页 8.2 晶体中的界面结构 当b=0.25nm θ=1°时，D=14.3nm； θ=10°时，D = 1.4nm ≈ 5b（5个原子间距）??? 一般说来，只有当θ 5°时，位错才可分辨，此时D = 12b。在θ = 10°时，5－6个原子间距就有一个位错，位错密度过大，晶界将全部是位错心，结构不稳定。 因此，θ大时，这个模型不适用。 第10页/共37页 8.2 晶体中的界面结构（2）扭转晶界第11页/共37页 8.2 晶体中的界面结构小角扭转晶界位错模型?第12页/共37页 8.2 晶体中的界面结构2、大角度晶界 大角晶界：θ10° 原子排列不规则，不能用位错模型描述。岛屿模型第13页/共37页 8.2 晶体中的界面结构重合位置点阵模型（了解）体心立方晶体中重合位置点阵第14页/共37页 8.2 晶体中的界面结构二、相界 根据界面上的原子排列结构不同，相界分为共格、半共格以及非共格三类。 （1）共格相界 第15页/共37页 8.2 晶体中的界面结构有应变共格界面第16页/共37页 8.2 晶体中的界面结构（2）半共格相界 若aa和ab分别为无应力时的a和b的点阵常数，这两个点阵的错配度定义为：?第17页/共37页 8.2 晶体中的界面结构(3) 非共格界面 当两相在相界面处的原子排列相差很大时，即d很大时，只能形成非共格界面。第18页/共37页 8.2 晶体中的界面结构8.2.2界面能量一、晶界能 晶界是一种面缺陷，使体系的自由能增加，定义形成单位面积的晶界而引起体系自由能的增高为晶界能。 每个晶粒有减小晶界面积的趋势。 保温时间足够长，晶界通过转动方位，达到平衡时：第19页/共37页 8.2 晶体中的界面结构 对于小角晶界，可以用组成它的位错能量进行估算。 对称倾转晶界，设位错间距为D，取一个面积元，其面积为D×1，仅含一根位错，而单位长度刃位错的能量为：单位面积上的界面能为：EB＝E/D＝Eq/|b| 第20页/共37页 8.2 晶体中的界面结构二、相界能弹性畸变能（应变能）： 原子离开平衡位置所引起； 大小取决于错配度。化学交互作用能： 界面上原子间结合键数目和强度发生变化所引起；大小取决于界面原子与周围原子的化学键结合状况。 共格相界：以应变能为主； 非共格相界：以化学能为主。 通常，共格—半共格—非共格相界能依次递增。第21页/共37页 8.3 晶体中界面的偏聚与迁移8.3.1 晶界平衡偏析?第22页/共37页 8.3 晶体中界面的偏聚与迁移晶界硬化不锈钢的敏化晶界腐蚀粉末烧结过程回火脆性溶质原子在静态晶界中偏析的程度和它在溶剂中的溶解度有关。 ?第23页/共37页 8.3 晶体中界面的偏聚与迁移8.3.2 界面迁移驱动力 晶界迁移：晶界在其法线方向上的位移，是通过晶粒边缘上的原子向其邻近晶粒的跳动实现的。晶界曲率是晶界迁移的驱动力，界面总是向凹侧推进；晶界处于平直状态时，晶界迁移会停止。第24页/共37页 8.3 晶体中界面的偏聚与迁移8.3.3影响界面迁移的因素 （1） 温度 晶界迁移率B与扩散系数D之间的关系为： B＝D/kT ≈B0 e(-Q/