半导体中的杂质和缺陷分解课件.pptVIP

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2023-07-16 发布于四川
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半导体中的杂质和缺陷分解课件.ppt

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第二章半导体中的杂质和缺陷杂质半导体与杂质电离：介绍硅、锗中的浅能级杂质以及杂质能级，浅能级杂质电离能的计算，并介绍杂质的补偿作用。介绍III-V族化合物中的杂质能级，引入等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质的概念。实际的半导体晶格为不完美晶格：原子在平衡位置作振动、材料不纯净含有其它非组分元素、晶体结构不完整等。由于杂质和缺陷的存在，会使严格按照周期性排列的原子所产生的周期性势场受到扰乱，因而杂质的电子不可能处于正常的导带和价带中，而是在禁带中引入允许电子具有的能量状态（等高的分立能级），即在禁带中引入杂质能级，以至于影响半导体材料的性质。III、V族杂质在硅、锗晶体中可处于束缚态和电离