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本发明公开了一种HEMT外延片及其制备方法、HEMT，所述HEMT外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的电子阻挡层、高阻层、沟道层、势垒层、极化层和GaN帽层；所述电子阻挡层包括依次层叠在所述衬底上的掺Mg的GaN层、BN层和Si3N4层；所述极化层包括依次层叠在所述势垒层上的GaN层、YAlN层和AlGaN层。本发明提供的HEMT外延片能限制二维电子气，具有更好的关断能力和更好的开启能力，并降低短沟道效应的影响和更低的表面接触电阻。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116504827 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202310787003.3 H01L 29/06 (2006.01)
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