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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域，用于解决半导体器件内部寄生电容的问题，所述半导体器件包括：器件功能区、两个以上的电极结构、两个以上的电极焊盘和屏蔽层，其中，所述两个以上的电极结构分别形成在所述器件功能区内部；所述两个以上的电极焊盘分别置于所述器件功能区表面，每个电极结构通过器件功能区中的互联结构与至少一个电极焊盘电连接形成一个电极；所述屏蔽层包括形成在不同电极之间的一个或多个屏蔽子层。本发明提供的半导体器件能够调整器件内部的寄生电容，达到与其配合电路的寄生电容相匹配的目
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116504759 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202310787400.0
(22)申请日 2023.06.30
(71)申请人 广东致能科技有限公司
地址 51
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