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本发明属于钙钛矿电池技术领域，具体涉及一种长支链烷基铵修饰的甲脒钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明在甲脒钙钛矿活性层与空穴传输层之间制备了基于长支链烷基铵的修饰层，一方面，长支链烷基铵中的‑NH2具有能够通过配位键与带正电荷的路易斯酸缺陷配位的孤对电子，可以钝化甲脒钙钛矿活性层界面的缺陷，降低缺陷态密度，减少非辐射能量损失，提升器件光电转换效率；另一方面，较长的支链烷基具有强疏水性，在热退火过程中，长的烷基链分布到薄膜表面形成一个疏水钝化层，能够在甲脒钙钛矿活性层界面形成屏障，抵御水汽的侵蚀。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116507139 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202310787487.1 H10K 30/88 (2023.01)
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