半导体结构制备方法及半导体结构.pdfVIP

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2023-07-29 发布于四川
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半导体结构制备方法及半导体结构.pdf

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本申请涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，半导体结构制备方法包括：提供目标衬底；于外延层内形成沿第一方向间隔排布的第一沟槽结构，第一沟槽结构暴露出部分隔离层；对沿第一方向相邻的第一沟槽结构之间的外延层内，执行至少一次固相扩散后退火推阱工艺，以在外延层内形成目标掺杂区；形成位于第一沟槽结构正上方的复合金属格栅立柱，复合金属格栅立柱包括至少填充满第一沟槽结构的介质层；于相邻的复合金属格栅立柱之间形成滤光层。该制备方法采用至少一次固相扩散后退火推阱工艺形成目标掺杂区，减少对目标衬底的伤害，在不影响

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116504800 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310779496.6 (22)申请日 2023.06.29 (71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司地址