光电效应基础理论.pptxVIP

光电效应现代光电子技术 光电探测当光照射到物体上时．可使物体发射电子或电导率发生变化，或产生光电动势等。这种因光照而引起物体电学特性的改变统称为光电效应。尽管光电效应的发现距今已有一百多年，但只是在近十多年来才变得日益重要。光电效应可分为两种：外光电效应和内光电效应。 光电效应阳极A:是由金属丝网做成的电位器R:用来调节加在光电管两端的电势差U的大小阴极K:光电管是一个抽成真空的玻璃泡,内表面的一部分涂有感光金属层作为阴极伏特计U和电流计G:分别用来测量加在光电管上的电势差和通过光电管的光电流光电效应的实验当光子照射到阴极K的金属表面上时，它的能量被金属中的电子全部吸收，如果光子的能量足够大，大到可以克服金属表面对电子的吸引力，电子就能跑到金属表面，在加速电场的作用下，向阳极A移动而形成电流 光电效应光子的频率为红限频率时,光电子刚好逸出金属表面,电子初动能为零,由爱因斯坦方程有:光子的频率小于红限频率时,光电子不能逸出金属表面.只要光子的频率满足,电子一次性吸收光子的能量,无需积累能量时间,就会立即逸出金属表面,是”瞬时的”光电效应显示了光的微粒特性,光子与电子相互作用时,电子吸收了光子的全部能量,光子也是构成物质的一种微光粒子.当入射光强度大时,单位时间内电子吸收的光子数就多,光电流就大,光电流与入射光强度成正比.1432光电效应的爱因斯坦方程光子的能量运动光子的质量运动光子的动量 某些物质吸收光子的能量时产生本征吸收或杂质吸收，从而电导率发生改变的现象，称为物质的光电导效应。利用具有光电导效应的材料可以制成电导率随入射光度量变化的器件，称为光电导器件或光敏电阻，光电导效应即发生在某些半导体材料中。金属材料不会发生光电导效应。光电导效应 光子受激发射占据高能带（导带）Ec的电子跃迁到低能带（价带）Ev上，就将其间的能量差（禁带能量）Eg=Ec-Ev以光的形式放出，这时发出的光，其波长基本上由能带差ΔE所决定。如果把光子能量大于hν的光波照射到占据低能带Ev的电子上，则电子吸收该能量后被激励跃迁到较高的能带Ec上。在半导体结上外加电场后，就可以在外电路上取出处于高能带Ec上的电子，使光能转变为电流光子受激吸收初始光输出光导带价带hνhνhνEcEv导带价带EcEvhν吸收光子后产生电子（输出电流） abhν电信号与光场引起的电子的激励速率成正比，这种激发涉及使电子从某一起始束缚态a跃迁到一个（或一组）终态b，在该态中电子可以自由移动并且形成电流。每个电子从态a到态b的跃迁速率与光强的关系。假设入射光场具有近乎正弦变化的形式每个电子受到该光场激励的跃迁几率与V(t)V*(t)成正比 考虑由场引起的跃迁速率问题abhν 响应度和量子效率光生电流Ip与产生的电子-空穴对和这些载流子运动的速度有关。也就是说，直接与入射光功率Pin成正比，即R是光探测器响应度，单位A/W。可用量子效率η表示，定义η为每秒产生的电子数与每秒入射的光子数之比光电响应度R随波长的增长而增加，这是因为光子能量减小时可以产生与减少的能量相等的电流。R和λ的这种线性关系不能一直保持，当光子能量变得比禁带能量Eg小时，无论输入光多强，光电效应也不会发生，此时η为零光电效应必须满足的条件 响应带宽光敏二极管的本征响应带宽由载流子在电场区的渡越时间ttr决定，而载流子的渡越时间与电场区的带宽W和载流子的漂移速度Vd有关。由于载流子渡越电场区需要一定的时间ttr，对于高速变化的光信号，光敏二极管的转换效率就相应的降低。光敏二极管的本征响应带宽Δf为在探测器入射光功率相同的情况下，接收机输出高频调制响应与低频调制响应相比，电信号功率下降一半时的频率，Δf与上升时间τr成反比雪崩二极管的本征响应带宽与倍增系数有关，则本征响应带宽Δf为τe为等效渡越时间，M0为雪崩二极管的低频倍增系数PHF/PLFfΔf10.5 能级光wP+IN+光在PN结界面上，由于电子和空穴的扩散运动，形成内部电场。内部电场使电子和空穴产生与扩散运动方向相反的漂移运动，最终使能带发生倾斜，在PN结界面附近形成耗尽层。当入射光作用在PN结时，如果光子的能量大于或等于带隙，便发生受激吸收，即价带的电子吸收光子的能量跃迁到导带形成光生电子-空穴对。在耗尽层，由于内部电场的作用，电子向N区运动，空穴向P区运动，形成光生漂移电流。在耗尽层两侧时没有电场的中性区，由于热运动，部分光生电子和空穴通过扩散运动可能进入耗尽层，然后在电场作用下，形成和漂移电流方向相同的光生扩散电流。光生漂移电流分量和光生扩散电流分的总和即为光生电流。PIN光电二极管 雪崩光电二极管光根据光电效应，当光入射到PN结时，光子被吸收而产生电子-空穴对。如果电压增加到使电场达到200kV/cm以上，初始电子（一次电子）在高电场区获得足够能量而加