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PAGE PAGE 10 第 3 章 集成门电路 内容提要 （1）晶体管开关特性及TTL 逻辑门的基本工作原理。 （2）MOS 管开关特性及CMOS 逻辑门的基本工作原理。 ECL、I 2L、BiCMOS 门电路的工作原理。 各类门电路的外部电气特性：电压传输特性、输入输出特性、抗干扰特性、电源特性等。 门电路的标准推拉输出、开路输出、三态输出的特点及用途。 各类门电路性能比较。教学基本要求 掌握晶体管、MOS 管开关特性。 掌握TTL 和 CMOS 门的逻辑功能、外部特性、主要参数和正确使用方法。 掌握门电路标准推拉输出、开路输出、三态输出的特点和应用。 理解TTL 和 CMOS 门电路的工作原理。 了解ECL、I 2L、BiCMOS 门电路的基本原理。重点与难点 本章重点： 晶体管、MOS 管开关特性。 门电路的外部电气特性和正确使用方法。 门电路开路输出、三态输出的特点和应用。本章难点：门电路的电路结构和参数计算。 主要教学内容 晶体管开关特性 晶体二极管开关特性 晶体二极管开关特性 TTL 集成逻辑门 TTL 集成逻辑门基本工作原理 TTL 集成逻辑门 OC 门和三态门 TTL 电路的改进系列 ECL 和I2L MOS 逻辑门 MOS 器件输出特性和阈值电压 MOS 反相器和逻辑门 CMOS 电路 CMOS 反相器 COMS 传输门 OD 门和三态门 BiCMOS 电路 CMOS 逻辑门电路技术参数 CMOS 电路的正确使用 晶体管开关特性 晶体二极管开关特性 双极型TTL 逻辑门电路是以晶体二极管和三极管作为开关器件，影响它们开关速度的主要因素是器件内部的电荷存储和消散时间。 晶体二极管稳态工作状态 晶体二极管开关电路如图 3–1–1 所示。 当 v ＞V 时，二极管导通，流过二极管的电流和输出电压为 I th 图 3–1–1 二极管开关电路 其中，V 为二极管正向开启电压，又称阈值电压。对于硅二极管 th th th D DV ≈0.6~0.7 V，锗二极管 V ≈0.2~0.3 V。v 为导通管压降，硅管 v th th D D DV，锗管 v ≈0.3 V。 D ≈0当 v ＜0 时，二极管截止，i ，v =－v ，v =0 。 ≈0 I D D I O 晶体二极管瞬态开关特性 晶体二极管在外加大信号电压时，将由导通转向截止或由截止转向导通，过渡过程工作波形如图 3–1–2 所示。 图 3–1–2 二极管瞬态开关特性 由导通转向截止需经历： –①i 由 I = V /R 降至 0.9I 所需驱散存储电荷的时间，称为存储时间 – D R R R t 。 s ② i 由 0.9I 逐渐下降至 0.1I 所需驱散存储电荷的时间，称为下降时 D R R 间 t 。 f t = t + t 时间称为反向恢复时间。 rr s f 由截止转向导通， 需经历由 i =(V +V )/R 下降至 i =V /R 所需的时间，称为二极管正 Dmax R F D F 向恢复时间 t 。一般 t ＜＜t ，所以可以忽略不计。 r r rr 晶体二极管开关电路应用 限幅电路 限幅电路是将部分输入信号抑制掉，部分输入信号传送到输出端。限幅电路主要应用于波形变换与整形。 常用限幅电路有：串联上限限幅、串联下限限幅、串联双向限幅、并联上限限幅、并联下限限幅、并联双向限幅等。 ① 串联限幅电路 串联限幅电路是利用二极管的截止状态起限幅作用。图 3–1–3 为三种典型限幅电路，其中 V 为限幅电平。 REF 图 3–1–3 二极管串联限幅电路 以图 3–1–3（c）双向限幅为例，其工作波形如图3–1–4 所示。在图 3–1–3 （c）中，限幅电平 V V 。 REF2 REF1 图 3–1–4 双向限幅工作波形 当 v =0 时，由于 V V ，则D 截止，D 导通，A 点电位为 I REF2 REF1 1 2 当 v V 时，D 截止，D 导通，输出 v V ，由D 实现下限限幅， ≤ ≈ ≤ ≈ 限幅电平为 V 。 A 当 v ≥V 时，D 导通，D 截止，输出 v ≈V ，由D 实现上限限 I REF2 1 2 O REF2 2 幅，限幅电平为 VREF2。 当 V ＜v ＜V 时，D 导通，D 导通，输出 v ≈v 。 A I REF2 1 2 O I ② 并联限幅电路 二极管并联限幅电路是利用二极管导通状态实现限幅，其电路图如图 3–1–5 所示。 图 3–1–5 并联限幅电路 二极管钳位电路 钳位电路是将输入信号波形的顶部或底部钳位在某一电平。图3–1–6 – –（a）是将输入脉冲波形顶部钳位在 V 的电路，波形如图 3 1 6（c – – REF – –所示。图 3 1 6（b）是将输入脉冲波形底部钳位在－V – –