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本申请涉及半导体领域，公开了一种背照式SPAD阵列及其制备方法，包括：对衬底的第一表面进行N型掺杂和P型掺杂，形成PN结；在衬底的第二表面生长氧化层，并在氧化层中制作接触孔；在氧化层的表面和接触孔内制备金属层；金属层包括钛层和氮化钛层；在金属层的表面制作钨隔离结构体；钨隔离结构体至少位于接触孔内；在衬底的第二表面一侧生长铝层；对衬底的第二表面一侧进行刻蚀，形成图形化铝层、图形化金属层和入光区；刻蚀截止至金属层与氧化层的接触面，图形化铝层与钨隔离结构体电连接；进行后续工艺处理，得到背照式SPAD阵
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116525634 A
(43)申请公布日 2023.08.01
(21)申请号 202310566556.6
(22)申请日 2023.05.18
(71)申请人 深圳市灵明光子科技有限公司
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