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本发明公开了一种晶圆清洗方法，属于集成电路制造技术领域，该晶圆清洗方法，包括以下步骤：将待清洗的晶圆放置在承载机构上，所述晶圆上积累有第一导电类型电荷；预处理所述晶圆：使用第二喷淋组件向所述晶圆喷淋第二清洗液进行清洗，第三喷淋组件使用第三清洗液喷淋清洗所述晶圆，经第四喷淋组件向所述晶圆喷淋第二清洗液进行清洗，其中，所述第二清洗液中含有第二导电类型电荷，以中和所述第一导电类型电荷；预处理所述晶圆后，所述第三喷淋组件喷出所述第三清洗液对所述晶圆的表面进行清洗。通过对晶圆进行预处理，减少晶圆表面积累的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116525414 A
(43)申请公布日 2023.08.01
(21)申请号 202310579888.8
(22)申请日 2023.05.22
(71)申请人 上海华力微电子有限公司
地址 2
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