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一种多步反应烧结直接反应连接碳化硅的方法，具体包括如下步骤：先通过酚醛树脂、乙二醇、碳化硅粉、纳米炭黑、石油焦粉、中间相碳微球和聚乙二醇400、苯磺酰氯混合消泡得到陶瓷浆料；涂覆在待连接的碳化硅基体上进行预固化和固化处理得到的样品；碳化处理得到具有低残硅的封接碳化硅；本发明解决了目前传统连接方法碳化硅基体与连接层材质不同热膨胀系数差异较大，反应连接碳化硅连接层中残余硅水平高，耐腐蚀性较差，烧结温度较高的问题，该方法连接的碳化硅与连接层热膨胀系数无差异，烧结温度低，连接层残余硅含量低，接头性能良好
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116514567 A
(43)申请公布日 2023.08.01
(21)申请号 202310569079.9
(22)申请日 2023.05.19
(71)申请人 西安交通大学
地址 710049
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