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磁控溅射技术 磁控溅射原理：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子 发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电 场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子 (或分子)沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受 到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区 域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运 动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞 电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降 低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。磁控溅射 就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，改变电子的运动方向，提高 工作气体的电离率和有效利用电子的能量。电子的归宿不仅仅是基 片，真空室内壁及靶源阳极也是电子归宿。但一般基片与真空室及阳 极在同一电势。磁场与电场的交互作用(E X B drift)使单个电子轨 迹呈三维螺旋状，而不是仅仅在靶面圆周运动。至于靶面圆周型的溅 射轮廓，那是靶源磁场磁力线呈圆周形状形状。磁力线分布方向不同 会对成膜有很大关系。在E X B shift机理下工作的不光磁控溅射， 多弧镀靶源，离子源，等离子源等都在次原理下工作。所不同的是电 场方向，电压电流大小而已。 真空镀膜过程均匀性 真空镀膜过程非常复杂，由于镀膜原理的不同分为很多种类，仅仅 因为都需要高真空度而拥有统一名称。所以对于不同原理的真空镀 膜，影响均匀性的因素也不尽相同。 并且均匀性这个概念本身也会随着镀膜尺度和薄膜成分而有着不 同的意义。 薄膜均匀性的概念： 厚度上的均匀性，也可以理解为粗糙度，在光学薄膜的尺度上 看（也就是1/10波长作为单位，约为100A），真空镀膜的均匀性 已经相当好，可以轻松将粗糙度控制在可见光波长的1/10范围内， 也就是说对于薄膜的光学特性来说，真空镀膜没有任何障碍。 但是如果是指原子层尺度上的均匀度，也就是说要实现10A甚至 1A的表面平整，是现在真空镀膜中主要的技术含量与技术瓶颈所在， 具体控制因素下面会根据不同镀膜给出详细解释。 化学组分上的均匀性： 就是说在薄膜中，化合物的原子组分会由于尺度过小而很容易的产 生不均匀特性，SiTiO3薄膜，如果镀膜过程不科学，那么实际表面 的组分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，镀的膜并非是想要的 膜的化学成分，这也是真空镀膜的技术含量所在。 具体因素也在下面给出。 晶格有序度的均匀性： 这决定了薄膜是单晶，多晶，非晶，是真空镀膜技术中的热点问题， 具体见下。 主要分类有两个大种类： 蒸发沉积镀膜和溅射沉积镀膜，具体则包括很多种类，包括真空离 子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，溶胶凝胶法等等 一、对于蒸发镀膜： 一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来，并 且沉降在基片表面，通过成膜过程（散点一岛状结构迷走结构-层状 生长）形成薄膜。 厚度均匀性主要取决于： 1、 基片材料与靶材的晶格匹配程度 2、 基片表面温度 3、蒸发功率，速率 4、真空度 5、镀膜时间，厚度大小。 组分均匀性： 蒸发镀膜组分均匀性不是很容易保证，具体可以调控的因素同上， 但是由于原理所限，对于非单一组分镀膜，蒸发镀膜的组 分均匀性不好。 晶向均匀性： 1、 晶格匹配度 2、 基片温度 3、 蒸发速率 二、.对于溅射类镀膜，可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶 材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且最终沉积在 基片表面，经历成膜过程，最终形成薄膜。 二、.对于溅射类镀膜，可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶 材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且最终沉积在 基片表面，经历成膜过程，最终形成薄膜。 对于不同的溅射材料和基片，最佳参数需要实验确定，是各不相同的， 镀膜设备的好坏主要在于能否精确控温，能否保证好的真空度，能否 保证好的真空腔清洁度。 MBE分子束外沿镀膜技术，已经比较好的解决了如上所属的问题， 但是基本用于实验研究，工业生产上比较常用的一体式镀膜机主要以 离子蒸发镀膜和磁控溅射镀膜为主 pvd 一般术语 6.1.1真空镀膜vacuum coating：在处于真空下的基片上制取膜层 的一种方法。 6.1.2基片substrate：膜层承受体。 6.1.3试验基片testing substrate:在镀膜开始、镀膜过程中或镀 膜结束后用作测量和（或）试验的基片。 6.1.4镀膜材料coating material：用来制取膜层的原材料。 6.1.5蒸发材料evaporation material：在真空蒸发中用来蒸发的 镀膜材料。 6.1.6溅射材料sputtering material：有真空溅射中用来溅射的镀 膜材料。 6.1.