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本实用新型提供一种台面结构PNP型肖特基集电区SOISiGeHBT结构,包括单晶硅衬底及层叠于单晶硅衬底表面的埋氧层构成的SOI衬底,埋氧层表面顺序层叠有P型重掺杂单晶硅层、金属硅化物薄层、N型重掺杂Si1‑xGex基区层、P型掺杂单晶硅发射区帽层和P型重掺杂多晶硅发射区层,P型重掺杂多晶硅发射区层至P型掺杂单晶硅发射区帽层刻蚀形成有发射区和基区电极接触台面,P型重掺杂多晶硅发射区层至金属硅化物薄层刻蚀形成有集电区电极接触台面,台面结构表面覆盖有氧化薄膜层,电极窗口形成有对应金属电极,基区电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 209981219 U
(45)授权公告日
2020.01.21
(21)申请号 20192
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