第四章 电磁屏蔽技术.pptVIP

截止波导管的屏效 截止波导管 屏蔽效能 = 反射损耗： 远场区计算公式 近场区计算公式 + 吸收损耗 圆形截止波导： 32 t / d 矩形截止波导： 27.2 t / l 孔洞计算屏蔽效能公式 第三十页，共四十五页，2022年，8月28日 截止波导管的损耗 第三十一页，共四十五页，2022年，8月28日 截止波导管的设计步骤 孔洞的泄漏不能满足屏蔽要求SE 确定截止波导管的截面形状 确定要屏蔽的最高的频率 f 确定波导管的截止频率 fc 计算截止波导管的截面尺寸 由SE 确定截止波导管的长度 5f 第三十二页，共四十五页，2022年，8月28日 第四章 电磁屏蔽技术 第一页，共四十五页，2022年，8月28日 电磁屏蔽 屏蔽前的场强E1 屏蔽后的场强E2 对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB 第二页，共四十五页，2022年，8月28日 实心材料屏蔽效能的计算 入射波 场强 距离 吸收损耗A R1 R2 SE ＝ R1 ＋ R2 ＋ A＋B ＝ R＋ A＋B B 第三页，共四十五页，2022年，8月28日 吸收损耗的计算 t 入射电磁波E0 剩余电磁波E1 E1 = E0e-t/? A ＝ 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ? ) dB 0.37E0 ? A ＝ 8.69 ( t / ? ) dB A = 3.34 t ? f ?r?r dB 第四页，共四十五页，2022年，8月28日 趋肤深度举例 第五页，共四十五页，2022年，8月28日 反射损耗 R ＝ 20 lg ZW 4 Zs 反射损耗与波阻抗有关，波阻抗越高，则反射损耗越大。 ZS = 3.68 ?10-7? f ?r/?r 远场：377? 近场：取决于源的阻抗 同一种材料的阻抗随频率变 第六页，共四十五页，2022年，8月28日 不同电磁波的反射损耗 远场: R ＝ 20 lg 377 4 Zs 4500 Zs = 屏蔽体阻抗， D = 屏蔽体到源的距离（m） f = 电磁波的频率（MHz） 2 D f D f Zs Zs 电场: R ＝ 20 lg 磁场: R ＝ 20 lg dB 第七页，共四十五页，2022年，8月28日 影响反射损耗的因素 150 0.1k 1k 10k 100k 1M 10M 100M 平面波 3? 108 / 2?r f R(dB) r = 30 m 电场r = 1 m 靠近辐射源 r = 30 m 磁场 r = 1 m 靠近辐射源 第八页，共四十五页，2022年，8月28日 综合屏蔽效能 (0.5mm铝板) 150 250 平面波 0 0.1k 1k 10k 100k 1M 10M 高频时 电磁波种类 的影响很小 电场波 r = 0.5 m 磁场波 r = 0.5 m 屏蔽效能（dB） 频率 第九页，共四十五页，2022年，8月28日 多次反射修正因子的计算 电磁波在屏蔽体内多次反射，会引起附加的电磁泄漏，因此要对前面的计算进行修正。 B = 20 lg ( 1 - e -2 t / ? ) 说明： B为负值，其作用是减小屏蔽效能 当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时，可以忽略 对于电场波，可以忽略 第十页，共四十五页，2022年，8月28日 怎样屏蔽低频磁场？ 低频磁场 低频 磁场 吸收损耗小 反射损耗小 高导电材料 高导磁材料 高导电材料 第十一页，共四十五页，2022年，8月28日 高导磁率材料的磁旁路效果 H0 H1 H0 Rs R0 H1 R0 Rs SE = 1 + R0/RS 第十二页，共四十五页，2022年，8月28日 低频磁场屏蔽产品 第十三页，共四十五页，2022年，8月28日 磁屏蔽材料的频率特性 1 5 10 15 坡莫合金 ?金属 镍钢 冷轧钢 0.01 0.1 1.0 10 100 kHz ?r 103 第十四页，共四十五页，2022年，8月28日 磁导率随场强的变化 磁通密度 B 磁场强度 H 饱和 起始