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* 晶体管放大设计 第一页，共三十五页，2022年，8月28日 一、学习要求 学习晶体管放大电路的设计方法； 掌握晶体管放大电路静态工作点设置与调整方法； 掌握晶体管放大电路性能指标的测试方法及安装与调试技术。 了解负反馈对放大电路性能的影响。 学习用pSpice软件对电路进行模拟仿真。 晶体管放大器设计 第二页，共三十五页，2022年，8月28日 二、设计课题 单级阻容耦合晶体管放大器设计 已知条件 +VCC=+12V RL=2k? Vi=10mV(有效值) Rs=50? 技术指标要求 AV＞30 Ri＞2k? Ro＜3k? fL＜20Hz fH＞500kHz 电路稳定性好。 第三页，共三十五页，2022年，8月28日 三、电路设计流程 提出设计指标 拟定电路方案 设定器件参数 电路安装和调试 结果测量 指标满足要求 电路设计结束 Y 修改电路方案 修改电路参数 是否要修改电路方案 Y N N 第四页，共三十五页，2022年，8月28日 四、共射放大器原理与设计举例 三极管放大器中广泛应用的是分压式射极偏置电路。电路的Q点稳定， Q点主要由RB1、RB2、RE、RC及+VCC所决定。 温度T ? ? IC? ? IE? IC? ? VE?、VBQ不变 ? VBE ? ? IB? （反馈控制） 若I1 IBQ ， VBQ VBE 1、工作原理 第五页，共三十五页，2022年，8月28日 2、电路参数的确定： 工作点稳定的必要条件： I1IBQ ，VBQVBE 一般取 RE愈大，直流负反馈愈强，电路的稳定性愈好。一般取 第六页，共三十五页，2022年，8月28日 2、电路参数的确定： 设计小信号放大器时，一般取 ICQ = (0.5~2)mA， VEQ = (0.2~0.5)VCC RC由RO或AV确定： RC ≈ RO 或 RC 第七页，共三十五页，2022年，8月28日 2、电路参数的确定： 如果放大器下限频率fL已知，可按下列表达式估算电容CB、CC和CE： 通常取CB = CC，用上面两式算出电容值，取较大的作为CB（或CC）。 第八页，共三十五页，2022年，8月28日 3、设计举例 例 设计一阻容耦合单级晶体管放大器。 已知条件 +VCC=+12 V RL=3 k? Vi=10 mV(有效值) Rs=600 ? 技术指标要求 AV＞40 Ri＞1 k? Ro＜3 k? fL＜100 Hz fH＞100 kHz。 第九页，共三十五页，2022年，8月28日 解：(1) 拟定电路方案 选择电路形式及晶体管 采用分压式射极偏置电路，可以获得稳定的静态工作点。 因放大器上限频率fH100 kHz，要求较高，故选用高频小功率管3DG100，其特性参数 ICM=20mA，V(BR)CEO≥20V，fT ≥ 150MHz 通常要求 的值大于AV的值，故选 第十页，共三十五页，2022年，8月28日 (2) 设置Q点并计算元件参数 要求Ri?1kΩ，而 取ICQ = 1.5 mA 依据指标要求、静态工作点范围、经验值进行计算 若取VBQ = 3V，得 取标称值，RE=1.5 kW 第十一页，共三十五页，2022年，8月28日 (2) 设置Q点并计算元件参数 因 , 依据指标要求、静态工作点范围、经验值进行计算 为使静态工作点调整方便，RB1由30kW固定电阻与100kW电位器相串联而成。 第十二页，共三十五页，2022年，8月28日 (2) 设置Q点并计算元件参数 依据指标要求、静态工作点范围、经验值进行计算 综合考虑，取标称值，RB＝1.5 kW。 因 ICQ＝1.5mA， 要求AV40, 由 得 第十三页，共三十五页，2022年，8月28日 (2) 设置Q点并计算元件参数 计算电容为： 取标称值，CC = CB = 10mF 取标称值，CE = 100mF 第十四页，共三十五页，2022年，8月28日 (3) 画出电路带参数的电路图 根据上述设计，得到放大器的电路图如下： 第十五页，共三十五页，2022年，8月28日 五、电路安装与调试 首先在面包板上组装好电路，参考上图搭接好实验测试平台。 然后进行电路调试： 静态调试 动态调试 第十六页，共三十五页，2022年，8月28日 1. 静态调试：Q点测量与调整 （1）接通电源，将电路输入端接地，测量电路的静态工作点。 （2）用万用表直流电压档，分别测量晶体管的B、E、C极对地电压VBQ、VEQ及VCQ。 （3）一般VBQ＝（3～5）V，VCEQ＝正几伏。 如果出现VCQ ? VCC，说明晶体管工