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(7). 频率特性 在直接光强调制下， 激光器输出光功率P和调制频率f 的关系为 P(f)= (4.9a) (4.9b) 式中， 和ξ分别称为弛豫频率和阻尼因子，Ith 和I0分别为阈值电流和偏置电流；I′是零增益电流，高掺杂浓度的LD， I′=0， 低掺杂浓度的LD, I′=(0.7~0.8)Ith；τsp为有源区内的电子寿命，τph为谐振腔内的光子寿命。 第二十九页，共七十四页，2022年，8月28日 图 4.11 半导体激光器的直接调制频率特性 图4.11示出半导体激光器的直接调制频率特性。弛豫频率fr 是调制频率的上限，一般激光器的fr 为1~2 GHz。在接近fr 处，数字调制要产生弛豫振荡，模拟调制要产生非线性失真。 第三十页，共七十四页，2022年，8月28日 4.1.2 半导体激光器 3．分布反馈半导体激光器（DFB-LD） DFB-LD结构上的特点是：激光振荡不是由反射镜面来提供，而是由折射率周期性变化的波纹结构（波纹光栅）来提供，即在有源区的一侧刻有波纹光栅，如图4-10所示。 图 4.10 分布反馈(DFB)激光器 (a) 结构； (b) 光反馈 第三十一页，共七十四页，2022年，8月28日 4.1.2 半导体激光器 分布反馈半导体激光器（DFB-LD）优点是 谱线窄，其线宽大约为普通型激光器线宽的1/10左右，如图所示，从而使色散的影响大为降低，可以实现速率为Gb/s的超高速传输。 由有源层发射的光，一部分在光栅波纹峰反射(如光线a)， 另一部分继续向前传播，在邻近的光栅波纹峰反射(如光线b)。 光栅周期 Λ=m ne 为材料有效折射率，λB为布喇格波长，m为衍射级数。 在普通光栅的DFB激光器中，发生激光振荡的有两个阈值最低、增益相同的纵模，其波长为 第三十二页，共七十四页，2022年，8月28日 4.1.2 半导体激光器 4．量子阱半导体激光器 量子阱半导体激光器与一般双异质激光器类似，只是有源区的厚度很薄（几十埃），如图4-11所示。当有源区的厚度非常小时，在有源区的异质结将产生一个势能阱，因此将产生这种量子效应的激光器称为量子阱半导体激光器。 图4-11 量子阱半导体激光器 第三十三页，共七十四页，2022年，8月28日 4.1.3 发光二极管 1．LED的工作原理 发光二极管（LED）是非相干光源，是无阈值器件，它的基本工作原理是自发辐射。 发光二极管与半导体激光器差别是：发光二极管没有光学谐振腔，不能形成激光。仅限于自发辐射，所发出的是荧光，是非相干光。半导体激光器是受激辐射，发出的是相干光。 LED三种主要结构： 面发射（Surface emitter)LED 边发射（Edge emitter)LED 超辐射（Superluminescent）LED 第三十四页，共七十四页，2022年，8月28日 4-9 SLED典型结构 第三十五页，共七十四页，2022年，8月28日 §4.4.2 ELED典型结构 ELED的结构图如图4-10所示。这种结构的目的是为了降低有源层中的光吸收并使光束有更好的方向性，光从有源层的端面输出。 第三十六页，共七十四页，2022年，8月28日 §4.4.3 超辐射LED 这种器件输出功率大，发射波束宽度窄，线度窄，特别适合与单模光纤耦合；有源区具有光放大作用，调制带宽大于前两种LED。 光输出强度与二极管电流不是呈线性关系，且输出光功率随结温升高而急剧下降。 第三十七页，共七十四页，2022年，8月28日 4.1.3 发光二极管 2．LED的结构 LED也多采用双异质结芯片，不同的是LED没有解理面，即没有光学谐振腔。由于不是激光振荡，所以没有阈值。 LED分为两大类：一类是面发光型LED，另一类是边发光型LED，其结构示意图如图4-12所示。 图4-12 常用的两类发光二极管（LED） 第三十八页，共七十四页，2022年，8月28日 4.1.3 发光二极管 3．LED的工作特性 （1）光谱特性 LED谱线宽度?λ比激光器宽得多。图4-13是InGaAsP LED的输出光谱。 图4-13 InGaAsP LED的发光光谱 第三十九页，共七十四页，2022年，8月28日 4.1.3 发光二极管 （2）输出光功率特性 两种类型的LED输出光功率特性如图4-14所示。驱动电流I 较小时，P ?I 曲线的线性