外延结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-08-09 发布于四川
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外延结构及其制备方法.pdf

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本发明涉及发光二极管制造领域，公开了一种外延结构及其制备方法，该外延结构包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的低温GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层及P型GaN层，所述有源层包括依次层叠的第一超晶格层、第二超晶格层和第三超晶格层，在所述第一超晶格层、第二超晶格层和第三超晶格层中，In浓度和Al浓度均交替震荡。本发明由于有源层中的第一超晶格层、第二超晶格层和第三超晶格层中的In浓度和Al浓度均交替震荡，使得小电流漏电得到改善，同时LED器件辐射复合效率上升，进而光效提升。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116565079 A (43)申请公布日 2023.08.08 (21)申请号 202310297270.2 (22)申请日 2023.03.24 (71)申请人淮安澳洋顺昌光电