一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法、芯片.pdfVIP

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2023-08-12 发布于四川
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一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法、芯片.pdf

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本申请属于半导体技术领域，提供了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法、芯片，通过在N型沟道层内增加多个两端分别与N型漂移层和N型再生层接触的P型深区结构，在N型再生层的正面形成多个P型注入区，阳极金属层与P型注入区之间形成欧姆接触，并与N型再生层之间形成肖特基接触，当器件在高温条件下处于反向偏置时，P型深区结构和P型注入区共同承担电场尖峰，在均匀化电场的同时，电场尖峰位置下移，P型深区结构和P型注入区具有双重屏蔽作用，将热量远离肖特基结，从而对肖特基结起到加强保护的作用，大大降低了器件的漏电流，解

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116581165 A (43)申请公布日 2023.08.11 (21)申请号 202310327900.6 (22)申请日 2023.03.30 (71)申请人天狼芯半导体（成都）有限公司地址