端面抽运DPL中晶体温度分布的研究的开题报告.docxVIP

端面抽运DPL中晶体温度分布的研究的开题报告 一、研究背景及意义 随着集成电路尺寸的不断缩小，芯片功率密度不断提高，导致芯片热量的积聚增加，进而引起芯片温度的不断上升，严重影响芯片性能和寿命。为了维持芯片的性能和寿命，需要对芯片温度进行准确监测和管理。而晶体温度则是芯片温度管理的一个重要指标，因此对晶体温度的分布进行研究，对于芯片设计、制造和测试具有重要的意义。 目前已有很多关于晶体温度分布的研究，其中大部分是基于汇流排（Interconnect）传热模型进行的。这种方法主要是通过模拟芯片各部分之间的传热关系得到晶体温度分布。然而，这种方法存在一些不足之处，如模型的参数和边界条件不易确定、模拟精度受到许多因素的影响等。 因此，在实际芯片温度管理中，需要一种可靠的方法来准确测量晶体温度分布。端面抽运DPL是一种基于光学测量技术的新型技术，可以实时测量晶体温度分布。该技术具有分辨率高、响应速度快、测量误差小等优点。然而，目前端面抽运DPL在晶体温度分布方面的应用仍处于初级阶段，需要进一步深入研究。 二、研究内容与方法 本文旨在研究端面抽运DPL在晶体温度分布上的应用。具体的，将研究以下内容： 1. 端面抽运DPL的原理及其在晶体温度测量中的应用。 2. 基于端面抽运DPL的晶体温度测量系统的设计和实现。 3. 利用所设计的测量系统对晶体的温度分布进行实时监测和测量。 4. 对所获得的测试数据进行处理和分析，并提出相应的解决方案。 研究方法主要是通过现场实验和红外热成像仪进行对比实验，验证端面抽运DPL测量结果的准确性和可靠性。 三、预期目标与成果 通过本研究，预期可以达到以下目标和成果： 1. 深入了解端面抽运DPL的原理及其在晶体温度测量中的应用，为该技术在芯片温度管理上的应用提供理论基础和技术指导。 2. 设计并实现了基于端面抽运DPL的晶体温度测量系统，为芯片温度管理提供一个可靠的测量手段。 3. 实现了对晶体的温度分布的实时监测和测量，并对所获得的测试数据进行处理和分析，提出了相应的解决方案。 4. 验证了端面抽运DPL测量结果的准确性和可靠性，并与红外热成像仪进行了对比实验。 综上，本研究将为芯片温度管理提供一种新的、可靠的测量手段，具有很强的实用价值和应用前景。