p型多晶硅薄膜晶体管在动态负偏置温度应力下的退化研究的开题报告.docxVIP

p型多晶硅薄膜晶体管在动态负偏置温度应力下的退化研究的开题报告 题目：p型多晶硅薄膜晶体管在动态负偏置温度应力下的退化研究 研究背景和意义： 随着半导体工艺的不断发展，p型多晶硅薄膜晶体管（poly-Si TFT）已经成为了应用广泛的触摸屏、LCD等显示器件中的主要驱动器件。但是，由于长期动态负偏置温度应力的存在，使得poly-Si TFT的退化现象越来越严重，从而导致显示器件的性能下降、寿命缩短。因此，对于poly-Si TFT在动态负偏置温度应力下的退化研究具有非常重要的实际意义。 研究内容： 本文主要围绕poly-Si TFT在动态负偏置温度应力下的退化问题展开研究。具体研究内容如下： 1. 对poly-Si TFT进行长期动态负偏置温度应力实验，观察其电特性随时间的变化情况，得出退化特征曲线。 2. 对退化特征曲线进行分析，探讨其退化机理，重点研究其沟道电阻、阈值电压偏移、子阈值摆幅等方面的变化。 3. 分析动态负偏置温度应力对poly-Si TFT退化的影响因素，包括温度、电压等参数，比较不同影响因素下的退化变化情况。 4. 基于研究结果，提出适当的优化措施，例如缩短负偏置时间、改变退火工艺等，以减缓退化速度，延长poly-Si TFT的使用寿命。 研究方法： 本文采用实验和理论相结合的方法进行研究。实验方面，使用半导体工艺制备poly-Si TFT样品，通过长期动态负偏置温度应力实验，得出退化特征曲线，分析不同参数下的退化变化情况。理论方面，将经验公式和现有理论应用到退化机理的分析中，探寻退化的本质规律。 预期结果： 通过对poly-Si TFT在动态负偏置温度应力下的退化研究，我们预期得到以下研究结果： 1. 得出poly-Si TFT在动态负偏置温度应力下的退化特征曲线及其退化机理。 2. 深入分析不同影响因素下的退化变化情况，研究其规律性，为后续工艺优化提供理论支持。 3. 提出一些有效的优化措施，减缓poly-Si TFT的退化速度，提高其使用寿命。 参考文献： 1. Loke, W. K., Gao, Y., Wong, L. Y., Koh, D., Samudra, G. S., Yeo, Y. C. (2005). Reliability study of polysilicon TFT with negative bias temperature stress. Microelectronics reliability, 45(8), 1209-1213. 2. Kim, Y. S., Lee, S. M., Park, M. S., Lee, B. J., Kim, C. K. (2007). Effects of temperature and frequency on electrical property degradation of polysilicon thin film transistor with negative bias temperature stress. Journal of Applied Physics, 102(3), 033701. 3. Hyun, J. H., Kim, J. O., Cho, M. H. (2002). Reliability analysis of amorphous silicon thin film transistor by negative bias temperature stress. Thin Solid Films, 418(1-2), 42-45.