二极管的结构与功能.pptVIP

整流电路 第二十九页，共四十六页，2022年，8月28日 信号处于正半周： 二极管导通，vL＝vs 信号处于负半周： 二极管截止，vL＝0 单相半波 整流电路 第三十页，共四十六页，2022年，8月28日 + － + － 桥式全波 整流电路 第三十一页，共四十六页，2022年，8月28日 电路组成 + + + + 4 1 2 3 1 u 2 u 220V + - R L o u V 2 1 V V 3 V 4 + – 由一个变压器，四只二极管，一个负载组成，其中四只二极管组成电桥电路。 第三十二页，共四十六页，2022年，8月28日 单相桥式整流电路的工作原理 单相桥式整流电路 + - u2正半周时电流通路 T RL uo u1 D4 D2 D1 D3 u2 A B + - 第三十三页，共四十六页，2022年，8月28日 第一页，共四十六页，2022年，8月28日 1.1 半导体器件的基础知识 物质按导电性能可划分为： 导体 — 一般为低价元素，如铜、铁、铝等金属元素。导电率为105量纲级。导电能力强。 绝缘体 — 一般为高价元素，如：橡胶、云母、塑料等。导电率为10-22~10-14 量纲级。导电能力弱。 半导体 — 一般为四价元素，如：硅（Si）锗（Ge）等。导电性能介于导体和绝缘体之间。且导电能力随条件变化。 1.1.1半导体材料 第二页，共四十六页，2022年，8月28日 半导体物质特性： 掺入杂质则导电率显著增加 掺杂特性 半导体器件 温度增加使导电率大为增加 温度特性 热敏器件 光照不仅大为增加导电率还可产生电动势 光照特性 光敏器件、光电器件 第三页，共四十六页，2022年，8月28日 完全纯净、结构完整的半导体晶体被称为本征半导体。 本征半导体在物理结构上呈单晶体形态。（见左下图） 1.1.2本征半导体 本征半导体： 常用的本征半导体：硅（Si），锗（Ge） 本征半导体的晶体结构 Si +14 2 8 4 Ge +32 2 8 18 4 +4 常见本征半导体的原子结构简化模型 第四页，共四十六页，2022年，8月28日 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 1.在T=0K，且无外部激发能量时： 本征半导体的导电特性: 常见本征半导体晶体结构平面示意图 本征半导体内部没有能够自由移动的带电粒子，即载流子，此时本征半导体呈绝缘特性。 第五页，共四十六页，2022年，8月28日 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 2.在有外部激发能量（如温度升高，光照）时： 挣脱原子核束缚的电子称为 自由电子，在本征激发下形 成带负电荷的载流子。 留下的空位称为空穴，成为 带正电荷的载流子。 本征半导体的载流子在外加电场的作用下可定向移动形成漂移电流。 共价键内的电子 称为束缚电子 第六页，共四十六页，2022年，8月28日 第七页，共四十六页，2022年，8月28日 第八页，共四十六页，2022年，8月28日 杂质半导体 N（电子）型半导体 (掺入的五价元素如P、Se等) 1.1.3杂质半导体 P（空穴）型半导体 (掺入的三价元素如B、Al、In等) 掺入杂质越多，导电性能越强 第九页，共四十六页，2022年，8月28日 第十页，共四十六页，2022年，8月28日 第十一页，共四十六页，2022年，8月28日 (1) 在PN结外加上正向电压时： PN结正偏（P(+), N(-)）时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通。 2. PN结的单向导电性 以上所讨论的PN结处于平衡状态，称为平衡PN结。如在PN结两端外加不同方向电压，就会破坏原平衡，呈现出单向导电性。 第十二页，共四十六页，2022年，8月28日 (2) 在PN结外加上反向电压时： PN结反偏（P(-), N (+)）时，仅有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。 第十三页，共四十六页，2022年，8月28日 结论： PN结加正向电压，即正偏时，有较大的正向扩散电流，此时PN结电阻小，处于导通状态，此时的正向电流随着PN结两端的电压增大而增大； PN结加反向电压，即反偏时，只有很小的，不随PN结两端电压变化的反向饱和电流，此时PN结电阻大，处于截止状态。 即PN结具有单向导电性能。 第十四页，共四十六页，2022年，8月28日 晶体二极管结构及电路符号： PN结正偏（P接+、N接-），D导通。 P N 正极 负极 晶体二极管的主要特性：单方向导电特性 PN结反偏（N接+、P接-） ，D截止。 即 主要用途：用于整流、开关、检波电路中。 二极管 第十五页，共四十六页，2022年，8月28日 将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。 小功率二极管 大功率二