一种硅基异质结太阳能电池及系统.pdfVIP

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2023-08-19 发布于四川
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本实用新型属于硅基异质结太阳能电池技术领域，具体涉及一种硅基异质结太阳能电池及系统，本硅基异质结太阳能电池包括：自上而下依次连接的正极金属导线、正面TCO导电膜、正面P型微晶硅掺杂薄膜层、正面本征非晶硅层膜层、N型晶硅衬底、背面本征非晶硅层膜层、背面N型微晶硅膜层、背面TCO导电膜、负极金属导线；本实用新型通过将正面P型微晶硅掺杂薄膜层置于正面能够减少正面的光学损失，也可以提高正面P型微晶硅掺杂薄膜层的掺杂效率，电导率增加，提高短路电流，在提高光学和电学性能的同时，将正面P型微晶硅掺杂薄膜层置于

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 219553652 U (45)授权公告日 2023.08.18 (21)申请号 202222819675.1 H01L 31/20 (2006.01) (22)申请日 2022.10.