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本发明公开了一种纳米铜柱热压键合工艺，采用纳米铜柱作为纳米热压键合材料，通过斜角溅射法在硅基板上镀一层纳米铜柱，然后将两片镀有纳米铜柱的陶瓷和晶体进行热压键合，增加有效接触面积，且烧结温度低，可以在200℃条件下实现高质量键合。本方法将待键合的陶瓷、晶体埋没于多个氧化硅球体内，通过石墨隔板间接施加预设压力，可避免待键合表面在热处理过程中因受力不均匀而变形，防止激光晶体的键合面存有未键合区域、气泡等缺陷，提高键合的激光晶体的键合面光学质量和机械强度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116606160 A
(43)申请公布日 2023.08.18
(21)申请号 202310468544.X
(22)申请日 2023.04.27
(71)申请人 苏州璋驰光电科技有限公司
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