一种有源层结构、制造方法以及半导体器件.pdfVIP

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2023-08-19 发布于四川
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一种有源层结构、制造方法以及半导体器件.pdf

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一种有源层结构、制造方法以及半导体器件，有源层结构包括：至少一层非晶金属氧化物半导体层以及至少一层多晶金属氧化物半导体层；非晶金属氧化物半导体层与多晶金属氧化物半导体层交替堆叠设置；其中，多晶金属氧化物半导体层的层数大于或等于非晶金属氧化物半导体层的层数。本申请可以提高有源层的迁移率，有源层结构解决了非晶金属氧化物半导体材料迁移率不够高的问题，提升了非晶金属氧化物半导体材料迁移率的极限，提高非晶金属氧化物半导体器件的载流子迁移率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116613216 A (43)申请公布日 2023.08.18 (21)申请号 202310492020.4 (22)申请日 2023.05.04 (71)申请人北京大学深圳研究生院地址 51