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能带结构 原子中每一电子所在能级在固体中都分裂成能带。 2.2 半导体基础知识 允带之间不允许电子占据的范围。 允带 允许被电子占据的能带。 禁带 第九十二页，共一百四十七页，2022年，8月28日 原子中最外层电子称为价电子，这一壳层分裂所成的能带称为价带。 2.2 半导体基础知识 任一能带可能被电子填满，也可能不被填满，满带电子是不导电的。未被填满的能带就能导电。金属之所以有导电性就是因为其价带电子是不满的。 没有电子进入的能带称为空带。 比价带能量更高的允许带称为导带； 价带 导带 空带 满带 电子总是先占满内层能级的允带，再占据外面一层允带。被占满的允带称为满带。 第九十三页，共一百四十七页，2022年，8月28日 共价键上电子可能受到激发而跃过禁带，占据价带上面的能带，这种现象称为电子的跃迁。 2.2 半导体基础知识 电子从价带跃迁到导带后，导带中的电子称为自由电子。自由电子不附着于任何原子上，有可能在晶体中游动，在外加电场作用下形成电流。 价带中电子跃迁到导带后，价带中出现电子的空缺称为自由空穴。在外电场作用下，附近电子可以去填补空缺，犹如自由空穴定向移动，形成电流。 与半导体导电性能有关的能带是导带和价带。 返回 第九十四页，共一百四十七页，2022年，8月28日 2.2 半导体基础知识 没有杂质和缺陷的半导体称为本征半导体，如图所示为本征半导体的能带结构。 第九十五页，共一百四十七页，2022年，8月28日 2.2 半导体基础知识 导电的自由电子和自由空穴统称为载流子。本征半导体导电性能的好坏与材料的禁带宽度有关。禁带宽度越小，电子越容易跃迁到导带，因而导电性就越好。 在半导体中掺入少量杂质就形成掺杂半导体，也称为非本征半导体。杂质的种类和多少对半导体的导电性能有很大的影响。 第九十六页，共一百四十七页，2022年，8月28日 2.2 半导体基础知识 如果在四价原子锗(Ge)或硅(Si)组成的晶体中掺入五价原子砷(As)或磷(P),就形成了N型半导体。在N型半导体中,自由电子浓度高于自由空穴浓度。 如果在四价锗晶体中掺入三价原子硼(B)，就形成了P型半导体。在P型半导体中,自由空穴浓度高于自由电子浓度。 返回 第九十七页，共一百四十七页，2022年，8月28日 2.2 半导体基础知识 五价原子用4个电子与锗或硅原子组成共价键，尚有一个多余电子受力较小，很容易被释放而跃迁到导带形成自由电子。易释放电子的原子称为施主。施主束缚电子的能量状态称为施主能级Ed，它位于禁带中比较靠近导带 的位置。施主能级Ed 和导带底Ec间的能量 差为△Ed，它称为施主 电离能。 返回 第九十八页，共一百四十七页，2022年，8月28日 2.2 半导体基础知识 硼原子的3个价电子和周围锗原子的4个价电子组成共价键，尚缺一个电子，就从这晶体中俘获一个电子，而使锗晶体中出现自由空穴。容易获取电子的原子称为受主,受主获取电子的能量状态用受主能级Ea表示,它也处 于禁带之中,位于价 带顶Ev附近。Ea与Ev 之能量差?Ea,称为受 主电离能。 返回 第九十九页，共一百四十七页，2022年，8月28日 在一定温度条件下，无光照时本征半导体材料中的电子和空穴浓度分别为n0和p0。 受光照时，价带中的电子吸收光子而跃迁到导带，于是导带电子浓度增加△n，空穴浓度增加△p。此时,总的载流子浓度比热平衡下载流子浓度要大。 本征半导体吸收光子能量的过程称为本征吸收,它只决定于半导体本身的性质，与它所含杂质和缺陷无关。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 第一百页，共一百四十七页，2022年，8月28日 2.2 半导体基础知识 第 二 章 光 电 检 测 中 的 基 础 知 识 要发生本征吸收，光子能量必须大于等于材料禁带宽度,即　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 或 式中,h是普朗克常数,c是光速,λ是光的波长。 (2-20) 第一百零一页，共一百四十七页，2022年，8月28日 可见，半导体的禁带宽度愈窄，长波限愈长。 2.2 半导体基础知识 第 二 章 光 电 检 测 中 的 基 础 知 识 于是,本征吸收在长波方向存在一个界限λ0，称为长波限。将普朗克常数和光速带入（2-20）式，得本征吸收的长波限为 (2-21) 返回 第一百零二页，共一百四十七页，2022年，8月28日 施主释放束缚电子到导带,所需能量即为电离能