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- 2023-08-23 发布于四川
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本发明涉及利用光致发光测量的雷射尖峰退火制程温度校正。用于由基于光致发光(PL)光谱的可检测带隙半导体材料所形成的装置结构的温度测量技术。用于制程温度控制的雷射退火温度校正推导自PL测量,且所推导的雷射退火温度校正是实施在雷射退火系统的制程控制器中以控制退火雷射的操作参数。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116631898 A
(43)申请公布日 2023.08.22
(21)申请号 202310134796.9
(22)申请日 2023.02.17
(30)优先权数据
63/268,242 2022
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