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纳米纳米复合材料的研究进展 1 纳米粒子技术的发展 20世纪是中华民国促进科学技术快速发展的时期。人类在控制和使用大量微观粒子系统的时代开始了控制和使用单微观粒子的时代。纳米技术是世纪之交发展起来的新技术,是在0.1~100nm尺度空间内,研究电子、原子和分子运动规律和特性的崭新的高技术科学。它的目标是人类按照自己的意志直接操纵单个电子、原子等粒子,制造出具有特定功能的产品。目前,人们已制造了各种各样的纳米材料,例如:纳米金属材料、纳米半导体材料、纳米氧化物材料、纳米陶瓷材料、纳米有机材料等。其中半导体纳米材料对未来社会信息化的产生有至关重要的影响。 2 结构体系的提出 相对于金属材料而言,半导体中的电子动能较低,有较长的德布罗意波长,因而对空间的限制比较敏感。电子的德布罗意波长λ与其动能E的关系为λ=h2/2m?E?????√λ=h2/2m*E(其中m*是半导体中电子的有效质量,h是普朗克常量)。当空间某一方向的尺度限制与电子的德布罗意波长可比拟时,电子的运动就会受限,而被量子化地限制在离散的本征态,从而失去一个空间自由度或者说减少了一维。因此,通常在体材料中适用的电子的粒子行为在此材料中不再适用,这种新型的材料称为半导体低维结构,也称为半导体纳米材料。 1966年,Fuouler等人首次令人们信服地证实了在Si/SiO2界面处存在二维电子气,从此拉开了半导体低维结构研究的序幕。Si-MOSFET可以认为是对载流子实现一个维度方向限制最早的固体结构。在这个系统中,由于Si和SiO2界面导带的不连续,形成一个三角势阱,将电子限制在其中,使其既不能穿过氧化层,也不能进入Si的体内,电子的运动被限制在二维界面内。 随着微加工技术的发展和分子束外延技术(MBE)、金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD)、液相外延(LPE)、气相外延(VPE)等技术的应用,人们可以制造出更多的二维电子气系统。它是由两种具有不同带隙的半导体材料构成,一般要求这两种材料结构相同,并且晶格常量接近,以获得原子级光滑的界面。MBE和MOCVD的一个重要特征是可以制备量子尺寸的多层结构,其控制精度可达单原子层量级。这些结构可分为量子阱(QW)和超晶格(SL)。1970年,Esaki和Tsu在寻找具有负微分电阻的新器件时,提出了全新的“半导体超晶格”概念。如果势垒层厚度足够宽,使得相邻阱内电子波函数没有相互作用,即被称为量子阱。反之,如果相邻阱内电子波函数有较强的相互作用,即相当于在晶格周期场上叠加一个多层结构的超晶格周期场,则被称为超晶格。从此,对半导体量子阱和超晶格等半导体微结构的材料和器件的研究成为近20多年来半导体物理学中最重要、最活跃的研究领域之一。 1978年Dingle等人对异质结中二维电子气沿平行于界面的输运进行了研究,发现了电子迁移率增强现象。以后,德国的K.V.Klitzing和崔琦等人相继发现了整数量子霍耳效应和分数量子霍耳效应,使半导体物理的研究取得了重大进展,他们也因此分别获得了诺贝尔奖。 近年来,除了超晶格、量子阱以外,对一维量子线和量子点体系的研究也非常引人注意。早在80年代初,人们发现镶嵌在硅玻璃中的半导体纳米晶体对于准粒子(电子、空穴、激子等)表现出三维受限性质。量子点的研究之所以会越来越引起人们的重视,是因为量子点的结构具有十分显著的量子化效应,它直接影响着量子点的各种物理性质,如电子结构、输运性质以及光学特性等。半导体纳米材料研究的进展无疑会为单电子物理学和低维材料学的研究开辟新的发展方向,同时也将对新一代量子功能器件的设计与制造产生革命性的影响。 3 电子的小尺寸及能量 在考虑体材料中电子的行为时,一般是按牛顿定律将电子作为粒子进行处理的,同时还考虑了电子在运动过程中受杂质和声子散射影响的情况。由于量子点是小尺寸的量子系统,具有明显的电子的波动行为,由此会产生各种量子效应。此时半经典理论不再适合描述量子点中的电子性质,而需用量子力学理论加以讨论,大体上可分为以下四种量子效应。 3.1 固体能源中的量子小模型 通过控制量子阱、量子线和量子点的形状、结构和尺寸,就可以调节其能隙、激子的束缚能以及激子的能量蓝移等电子状态。量子尺寸效应所描述的是,当半导体材料从体相减小到某一临界尺寸(如电子的德布罗意波长、电子的非弹性散射平均自由程和体相激子的玻尔半径相等)以后,其中的电子、空穴和激子等载流子的运动将受到强量子封闭性的限制,同时导致其能量的增加,与此相应的电子结构也将从体相的连续能带结构变成类似于分子的准分裂能级,使原来的能隙增加,即光吸收谱向短波长方向移动,呈现谱峰蓝移现象。量子点的尺寸越小,蓝移现象越显著。迄今为止,人们已从固体能带理论和量子力学理论出发,采用各种模型和方法,对各种各样的量子点中的电子结构进行了研究,从而深刻