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第四讲离子类载流子导电演示文稿 当前第1页\共有28页\编于星期六\18点 优选第四讲离子类载流子导电 当前第2页\共有28页\编于星期六\18点 晶体缺陷： 图4.1 晶体中的各种点缺陷 1-大的置换原子；2-肖脱基空位；3-异类间隙原子；4-复合空位；5－弗兰克尔空位；6-小的置换原子 当前第3页\共有28页\编于星期六\18点 类型:弗仑克尔缺陷（Frenkel defect）和肖特基缺陷（Schottky defect） 定义:热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。 热缺陷—点缺陷 Frenkel 缺陷 Schottky 缺陷 图4.2 弗仑克尔缺陷与肖特基缺陷示意图 当前第4页\共有28页\编于星期六\18点 弗仑克尔缺陷的填隙离子和空位的浓度相等。都可表示为： 肖特基空位浓度，在离子晶体中可表示为： 一般肖特基缺陷形成能比弗仑克尔缺陷形成能低许多。 当前第5页\共有28页\编于星期六\18点 二.离子迁移率 高度为U0的“势垒” 某一间隙离子由于热运动, 越过位势垒。根据玻尔兹曼统计规律，单位时间沿某一方向跃迁的次数为： ——间隙离子在半稳定位置上振动的频率。 无外加电场——无电荷定向运动 有外加电场——电荷定向运动 当前第6页\共有28页\编于星期六\18点 当前第7页\共有28页\编于星期六\18点 则顺电场方向和逆电场方向填隙离子单位时间内跃迁次数分别为： 当前第8页\共有28页\编于星期六\18点 则单位时间内每一间隙离子沿电场方向的剩余跃迁次数为： δ－相邻半稳定位置间的距离 每跃迁一次距离为δ，迁移速度为 当前第9页\共有28页\编于星期六\18点 当电场强度不大时， 同样： 当前第10页\共有28页\编于星期六\18点 迁移率: 是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。 同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm2/（VS），而空穴的迁移率仅为480cm2/(VS)。 当前第11页\共有28页\编于星期六\18点 迁移率主要影响到晶体管的两个性能： 一是影响半导体材料的电导率 ； 二是影响器件的工作频率。 载流子沿电流方向的迁移率为： 当前第12页\共有28页\编于星期六\18点 1.离子电导的一般表达式 三.离子电导率 ——电导激活能，它包括缺陷形成能和迁移能。 当前第13页\共有28页\编于星期六\18点 本征离子电导率的一般表达式为： 杂质离子： 式中： N2——杂质离子浓度 若物质存在多种载流子，其总电导率为： 当前第14页\共有28页\编于星期六\18点 4.2 离子电导与扩散 离子导电是离子在电场作用下的扩散现象。 离子扩散机构主要有： ①空位扩散；②间隙扩散；③亚晶格间隙扩散。 一般间隙扩散比空位扩散需更大的能量。间隙-亚 晶格扩散相对来讲晶格变形小，比较容易产生。 图4.5 离子扩散机构示意图 (a) 空位扩散 (b) 间隙扩散 (c) 亚晶格间隙扩散 当前第15页\共有28页\编于星期六\18点 能斯特-爱因斯坦（Nernst-Einstein）方程 电流密度： 扩散通量：（用J表示） n为载流子单位体积浓度；x为扩散方向；q为离子电荷量；D为扩散系数。 当前第16页\共有28页\编于星期六\18点 当存在电场E时，其产生的电流密度J2可用欧姆定律微分形式表示，即： 浓度梯度热扩散和电场同时存在时，总电流密度应为： 玻耳兹曼（Boltzmann）分布，在存在电场时， 浓度可表示为： 当前第17页\共有28页\编于星期六\18点 n0为常数，因此，浓度梯度为： 热平衡条件下，Ji=0，因此： 当前第18页\共有28页\编于星期六\18点 (4.25)式在离子电导率和离子扩散系数之间建立了联系，称为能斯特-爱因斯坦方程。 B——离子绝对迁移率 当前第19页\共有28页\编于星期六\18点 温度↑→离子热振动加剧→电导率(σ)↑ B —与材料有关的常数 A 2 1 1—低温区的杂质导电 2—高温区的本征导电 4.3 离子电导的影响因素 1. 温度 当前第20页\共有28页\编于星期六\18点