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本发明公开了一种动态随机存取存储单元。所述动态随机存取存储单元包含一晶体管、一凹槽、一隔离层以及一电容。所述凹槽形成于一硅表面下。所述隔离层设置于所述凹槽内，其中所述隔离层包含一第一部分与一第二部分，所述第一部分覆盖所述凹槽的一第一侧壁且由所述凹槽的一底部表面向上延伸，以及所述第二部分覆盖所述底部表面。所述电容耦接于所述晶体管，其中所述电容由所述隔离层的第二部分向上延伸至高于所述硅表面的一预定位置。本发明相较于现有技术，可以提供一种高效的动态随机存取存储器单元，且可紧密且优化地同步所述动态随机存
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111696987 A
(43)申请公布日
2020.09.22
(21)申请号 20201
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