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三维高强宽比硅基微纳结构制造技术综述 0 高强宽比硅基微纳结构的应用 近年来，微纳制造技术取得了快速发展。通过微纳机械技术系统（ss-nic）技术加工的微纳结构和设备，结合了机、电、声音、光、热、力、化学、液体、液体和生物等多个交叉学科。它具有质量轻、功能低、高性能、多功能、降低成本等优点。微纳机械技术在满足和促进各种产品微型化、工业化和智能方面的发展方向上得到了推动。微纳机械系统已成为现代经济和科学技术发展的重要推动力。 随着加工技术的进步,微纳器件优化的趋势是物理尺寸沿着摩尔定律不断缩小、单位面积集成更多功能和有效利用微纳尺度下的特殊效应。对比于平面结构,高深宽比(深宽比即微细结构最大深度/宽度的比值)三维结构具有更大的比表面积,同时,规则的高深宽比阵列结构表面具有独特的催化、光学、粘附、抗菌和动力学特性,为微纳器件升级开辟了新的思路和更广的应用领域。单晶硅由于其敏感机理多样性和优良的机械、电学特性,以及显著的加工、储量优势和易于IC集成等特点,成为构筑微纳器件的理想材料,并受到广泛的关注。三维高深宽比硅基微纳结构作为微纳器件的支撑载体、执行机构或功能媒介,满足了微纳器件对于驱动力、使用频率范围、低噪声、高分辨率、灵敏度、位移量和集成互连等性能提高的迫切要求[5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15],在无线通信、生物、光电、微能源等领域获得广泛应用。 目前,高深宽比硅基微纳结构这一领域的研究极为活跃,人们在制造方法、工艺优化、建模仿真和应用拓展等方面进行了大量的研究和探索工作。本文结合作者的研究工作,着眼于对高深宽比硅基微纳结构的制造及应用现状进行综述,并对其发展趋势进行了展望。 1 纳米结构的种类 硅基微纳结构按照尺寸精度,可划分为微米结构(1～5 μm)、亚微米结构(100 nm～1 μm)和纳米结构(0.1～100 nm);按照结构图形数量,分为单体和阵列;按照结构形状,如图1所示,可划分为线、槽(梁)、柱、栅和孔、尖等,相应地,其制造方法、结构特点和应用领域也各不相同。 2 深水宽比结构制造方法 高深宽比硅基微纳结构制造依赖于控制横向刻蚀率和提高垂直刻蚀率。通过选择合适的制造方法和优化工艺流程,得到图形完整、尺寸精确、表面光滑及性能优异的硅基微纳结构是当前高深宽比结构制造研究的一个重要课题。按照腐蚀剂状态不同,可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀两大类,以及近年发展起来的镭射钻孔、微细电火花加工、催化剂辅助生长法等制造方法。湿法刻蚀是利用溶液与被刻蚀材料发生化学反应进行的刻蚀,包括湿法各向异性刻蚀、光辅助和金属辅助化学刻蚀等;干法刻蚀通常指物理化学相结合的等离子体刻蚀,包括反应离子刻蚀(reactive ion etching,RIE)、深反应离子刻蚀(deep reactive ion etching,DRIE)和低温刻蚀等。 2.1 表面改性硅晶面刻蚀 湿法各向异性刻蚀是最早开发的单晶硅体微加工的主要方法,通常采用联氨水溶液、乙二胺邻苯二酚、四甲基氢氧化铵(tetramethylammonium hydroxide,TMAH)溶液或碱金属氢氧化物溶液对Si进行刻蚀,但前两者环境不友好,目前以后两种研究居多。该方法成本低、工艺简单、刻蚀深度大、对Si片损伤少,且结构刻蚀速率纵向远大于横向,因此称为定向刻蚀,能够实现理论值为600∶1以上的高深宽比微纳结构。但是,由于硅晶体三个晶面键密度、晶面强度和化学反应所需的能量不同,导致各晶向的刻蚀率不同,关系大致为(100)(110)(111),因此,显著晶向依赖性决定了该方法只能加工沟槽结构。 添加表面活化剂可以增强溶液与Si片表面的亲润,日本名古屋大学微纳系统工程系B.Tang等人用表面改性TMAH溶液对单晶硅(111)晶面进行刻蚀,得到平均曲率直径2 nm,深宽比6∶1的纳米尖;美国德克萨斯大学奥斯汀分校B.Li等人将电子束光刻与湿法各向异性刻蚀相结合,在(110) 绝缘硅(silicon-on-insulator,SOI)上制备得到线宽24 nm、深宽比大于15∶1的纳米线,测试结果表明,纳米线具有很好的侧壁光滑性和线宽均匀性。 2.2 硅溶解法hf 光辅助电化学刻蚀于1990年由德国人Lehmann等首次提出,用于刻蚀110晶向单晶Si片,生成方孔、线条等高深宽比结构。该方法基于氢氟酸(HF)阳极氧化技术,首先腐蚀Si片形成倒金字塔形孔洞,在孔洞尖端处汇聚密集电场,利用光生载流子效应,以卤素或氙气灯对晶片背面光照产生电子空穴,空穴在强电场作用下快速抵达尖端并参与硅溶解反应,从而实现定点刻蚀。该方法工艺简单、制造成本低,但工艺难点在于复杂图形刻蚀和有效控制刻蚀效率与表面质量,工艺过程中的HF酸浓度、电压、电流、光照等是影响结构形貌的重要因素。 首尔大学H.C