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2023-09-07 发布于四川
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本发明公开了一种存储器元件，其包括衬底、叠层结构、隔离结构、栅间介电层、控制栅极、第一绝缘结构、第一栅介电层以及第一栅极。叠层结构设置于衬底上。隔离结构设置于衬底中与叠层结构的两侧。栅间介电层覆盖叠层结构与隔离结构。控制栅极覆盖栅间介电层。第一绝缘结构设置于衬底中，其中第一绝缘结构的顶表面低于衬底的顶表面而暴露出部分的衬底的侧表面。第一栅介电层设置于衬底的顶表面与衬底的侧表面上。第一栅极覆盖第一栅介电层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113497126 A (43)申请公布日 2021.10.12 (21)申请号 20201