一种阻变存储器单元及阵列结构.pdfVIP

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2023-09-07 发布于四川
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一种阻变存储器单元及阵列结构.pdf

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本发明公开了一种阻变存储器单元结构，包括：相连的第一晶体管和第一阻变单元，相连的第二晶体管和第二阻变单元，第一晶体管与第二晶体管相并联；第一晶体管的第一栅极连接第一字线，第一源极连接第一源线，第一漏极通过第一阻变单元连接第一位线；第二晶体管的第二栅极连接第二字线，第二源极连接第二源线，第二漏极通过第二阻变单元连接第二位线。本发明的阻变存储器单元结构为由两个1T1R单元并联组成的高密度2T2R存储单元，可在同等单元和阵列面积的基础上将存储容量提升一倍，并能实现一位或两位数据操作，具有非常高的操作灵

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111146236 A (43)申请公布日 2020.05.12 (21)申请号 20191