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第十章高级光刻工艺 第一页，共十六页，2022年，8月28日 第十章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －2－ 下图列出了一些在2012年左右对光刻工艺的要求 生产年度 2001 2006 2012 线宽(nm） 150 100 50 记忆量 1 Gb 16 Gb 64 Gb 逻辑Bits/cm2 380 M 2.2 B 17 B 芯片尺寸DRAM(mm2) 445 790 1580 最大连线水平 7 7~8 9 掩膜层 23 24~26 28 缺陷密度DRAM(D/m) 875 490 250 芯片连接I/O 1195 1970 3585 芯片直径(mm) 300 300 450 第二页，共十六页，2022年，8月28日 第十章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －3－ 有关光学系统分辨率控制、改进的曝光源、曝光问题、掩膜版薄膜等问题参见10.2～10.4节。 晶圆表面问题 晶圆表面问题主要是指晶圆表面的条件，包括表面的反射率、表面地形差异、多层刻蚀等。 光刻胶里的反射现象： 第三页，共十六页，2022年，8月28日 第十章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －4－ 反射问题在表面有很多阶梯（也称为复杂地形）的晶圆中尤为突出，这些阶梯的侧面将入射光以一定角度反射入光刻胶里，引起图形分辨率不好，其中一个独特的现象就是阶梯处发生光干涉现象从而引起阶梯图形出现“凹口”。 第四页，共十六页，2022年，8月28日 第十章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －5－ 防反射涂层（ARC） 防反射涂层是在涂光刻胶之前在晶圆表面涂一层物质用来帮助光刻胶成像（见图10.15）。防反射涂层对成像过程有几点帮助： 1）平整晶圆表面； 2）防反射涂层切断了从晶圆表面反射的光线； 3）还能降低驻波效应和增强图形对比度。 存在的问题 增加额外的涂层工艺和烘焙工艺，可能会使膜厚度和显影过程变得难控制，曝光时间也相应地增加30～50％。 第五页，共十六页，2022年，8月28日 第十章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －6－ 平整化 随着光刻次数的增加，晶圆表面变得高低不平 ，如图所示。平整化技术包括：1）复层光刻胶工艺；2）工艺层平整化；3）回流技术；4）化学机械研磨。 第六页，共十六页，2022年，8月28日 第十章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －7－ 复层光刻胶 第七页，共十六页，2022年，8月28日 第十章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －8－ 第八页，共十六页，2022年，8月28日 第十章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －9－ 铜制程工艺 随着器件密度的增加，金属层数也不断增加，各金属层之间使用导电介质连接，导电介质被称为连接柱或连接栓。钨虽然是很好的金属材料，但刻蚀工艺比较复查。目前，铜逐渐代替了铝来作为金属导体，但铜的工艺又引入了一大堆新问题，一种既使用铜又能同时做出连接柱的工艺称作铜制程，是一种嵌入式工艺过程，首先使用传统的光刻工艺刻出沟道，然后用所需的金属填充沟道，金属淀积并溢出沟道覆盖晶圆表面。接着使用CMP(化学机械研磨)将溢出的金属磨去，只留下沟道内的金属线（见下图）。 第九页，共十六页，2022年，8月28日 第十章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －10－ 有关详细内容将在以后介绍。 第十页，共十六页，2022年，8月28日 第十章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －11－ 化学机械研磨(CMP) 化学机械研磨（抛光）不仅在晶圆制备过程中使用，而且在芯片制造过程中也被用来做晶圆表面的平整化。因为经过多次光刻后晶圆表面出现高低不平的表面阶梯，在阶梯处存在金属覆盖不好的问题，给后续工艺带来不便，所以必须进行表面平整化处理。 在工艺过程使用化学机械研磨得优点是： 1）可以达到晶圆表面整体平整化； 2）研磨移去所以表面物质； 3）适用于物质表面； 4）使高质量的铜制程和铜化金属层成为可能；5）费用低。 第十一页，共十六页，2022年，8月28日 第十章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －12－ 化学机械研磨设备 第十二页，共十六页，2022年，8月28日