一种生长高质量低缺陷分子晶体的方法与装置.pdfVIP

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2023-09-20 发布于四川
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一种生长高质量低缺陷分子晶体的方法与装置.pdf

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本发明公开了一种微距升华法生长分子晶体的方法和装置，包括如下步骤：以有机小分子为原料压片，将压片置于特制微型石英舟内，利用物理气相传输法，在基底上直接沉积，即高质量低缺陷分子晶体。同时，本发明开发了原位光谱精准定位了缺陷富含的区域，结合冷冻电镜解析出缺陷的结构信息，同时分析了分子晶体结构与发光之间的关系，此外也阐明了缺陷的存在促进了材料光响应电流的产生，阻碍着材料本征光电性能的表征以及在产业中的应用。相比于物理气相沉积，本方法简单方便，原料利用率高，适用性广，所需设备通用易得，得到的缺陷浓度低分

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116770422 A (43)申请公布日 2023.09.19 (21)申请号 202210227269.8 (22)申请日 2022.03.08 (71)申请人中国科学院化学研究所地址 10