半导体测试结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-09-20 发布于四川
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半导体测试结构及其制造方法.pdf

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本公开提供了一种半导体测试结构及其制造方法，所述半导体测试结构的制造方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构内包括掺杂层和位于所述掺杂层内的金属层；形成至少一开口于所述半导体结构上，所述开口暴露出所述金属层；通过湿法刻蚀液与所述金属层反应，以移除所述金属层，而形成镂空部，其中所述湿法刻蚀液通过所述开口进入所述半导体结构内；通过所述开口向所述镂空部内填充非金属材料层，以形成所述半导体测试结构；其中，所述金属层的蒸发压大于所述非金属材料层的蒸发压。上述技术方案，避免了由于金属在极高的电场下才能蒸发的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116773854 A (43)申请公布日 2023.09.19 (21)申请号 202210227575.1 (22)申请日 2022.03.08 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 23