原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供在不改变有源区和边缘终端区的节距的情况下容易使边缘终端区的耗尽层扩展的超结半导体装置。超结半导体装置具备：第一导电型的缓冲层，其设置在第一导电型的半导体基板的正面，并且杂质浓度比半导体基板的杂质浓度低；第一导电型的漂移层，其设置在缓冲层的上表面，并且杂质浓度比缓冲层的杂质浓度低；第一并列pn结构，其通过设置在漂移层内且到达缓冲层的第一导电型的第一柱区与第二导电型的第二柱区在与正面平行的方向上反复交替地配置而成；终端结构部具有第一柱区和第二柱区的深度随着朝向终端部而阶段性地变浅的第二并列
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779638 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202310087489.X
(22)申请日 2023.01.30
(30)优先权数据
2022-040859 202
文档评论（0）