半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-09-20 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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本申请公开一种半导体结构及其形成方法；其中，所述半导体结构的形成方法包括：形成遮罩层在基板上，且遮罩层及基板具有开口。形成隔离结构在开口中。移除遮罩层。形成第一导电层在隔离结构与基板上。执行第一植入工艺于第一导电层及隔离结构上，以形成掺杂部分在第一导电层中且形成掺杂部分在隔离结构中。形成第二导电层在第一导电层及隔离结构上。执行第一平坦化工艺，使得第二导电层、第一导电层及隔离结构的顶表面齐平。本发明可以有效地调整开口及/或沟槽的深宽比，进而降低填充至开口及/或沟槽中的材料存在空隙或接缝的机率，还能

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116782649 A (43)申请公布日 2023.09.19 (21)申请号 202210222242.X (22)申请日 2022.03.07 (71)申请人华邦电子股份有限公司地址中国