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GaN基LED的ITO表面微元粗化改善光效的研究的中期报告
这篇中期报告涉及研究GaN基LED的ITO表面微元粗化对光效改善的影响。
首先，我们通过原子力显微镜（AFM）对ITO表面进行了扫描，发现ITO表面有微小的凹陷和凸起，这些结构可以增加光的散射，进而提高了光提取效率。因此，我们决定通过特定的化学处理方法对ITO表面进行微元粗化处理。
然后，我们将GaN基LED在ITO表面微元粗化前后进行了测试，并比较了电流-电压（I-V）和亮度-电流（L-I）等性能参数。实验结果表明，与未经粗化的ITO表面相比，ITO表面微元粗化后的LED具有更好的I-V和L-I特性，并且光提取效率也有显著的提高。
最后，我们对ITO表面微元粗化方式进行了优化，并进一步研究了处理时间、温度和表面形貌等参数对光效的影响。结果显示，得到最佳光效的处理条件为化学处理时间为30分钟、温度为90°C，并且形成的粗化结构高度约为100 nm。
总之，本研究表明micro-structured ITO表面粗化可以有效地提高GaN基LED的光提取效率。接下来，我们将继续优化处理方法，并进一步探究ITO表面微元粗化对LED性能的影响。
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