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在抑制活塞模式的阻碍的同时谋求ESD耐性的提高。将多个IDT电极(3)之中在第2方向(D2)上相邻的两个IDT电极(3)的一者设为第1IDT电极，将另一者设为第2IDT电极，此时，在第1IDT电极中，一组电极指之中最靠近第2IDT电极的第1电极指(6)包含第2方向(D2)的宽度比最靠近第2IDT电极的第1电极指(6)的第1方向(D1)的中央部(60)大的宽幅部(62)。在第1IDT电极中，关于最靠近第2IDT电极的第1电极指(6)，第1距离(L1)比第2距离(L2)短，该第1距离(L1)是沿着第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111492575 A
(43)申请公布日
2020.08.04
(21)申请号 20188
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