NiGe(Si)薄膜的热稳定性及其与Ge(Si)接触电学特性研究的中期报告.docxVIP

NiGe(Si)薄膜的热稳定性及其与Ge(Si)接触电学特性研究的中期报告 该研究的中期报告主要介绍了对NiGe(Si)薄膜的热稳定性及其与Ge(Si)接触电学特性的研究进展。该研究的目的是探究NiGe(Si)薄膜作为接触材料的潜力。 首先，在该研究中，研究人员利用分子束外延技术在Ge基底上制备了NiGe(Si)薄膜，并使用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对其进行了表征。结果表明，制备出的NiGe(Si)薄膜具有良好的晶体结构和平整度。 接着，研究人员对NiGe(Si)薄膜进行了热处理，并利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪观察了其热稳定性。结果显示，在高温下，NiGe(Si)薄膜逐渐失去结晶性，但其晶体结构仍然可以保持一定的完整性。 最后，研究人员还对NiGe(Si)/Ge(Si)界面的接触电学性质进行了研究。他们在铂电极和NiGe(Si)/Ge(Si)界面之间测量了电流-电压曲线，并分析了其电学特性。结果显示，NiGe(Si)薄膜的电学性质与Ge(Si)基底非常相似，具有良好的电学特性，表明NiGe(Si)薄膜具有很好的应用潜力。 综上所述，该研究表明制备出的NiGe(Si)薄膜具有较好的热稳定性和电学特性，可以作为接触材料应用于Ge(Si)器件中。然而，还需要进一步研究来确定其在实际应用中的性能和稳定性。