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本发明公开了一种用于IGBT功率模块的双单元布线结构，包括形成于散热基板上的主布线区、铺设于主布线区上的导电片和桥接部，导电片包括沿左右方向相对的第一导电片和第二导电片，第一导电片从前到后依次从大到小形成第一部至第四部，第二导电片从前到后依次从小到大形成有与第一部至第四部位置相对的第五部至第八部，第一部和第八部上焊接有IGBT芯片，第二部和第七部上焊接有二极管芯片，桥接部包括焊接于第一部的IGBT芯片和第五部之间的第一桥接部、焊接于第二部的二极管芯片和第六部之间的第二桥接部、焊接于第七部的二极管
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116825767 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202310959591.4 H01L 23/538 (2006.01)
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