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本公开涉及非光敏型二极管及其制造方法、图像传感器。该用于制造非光敏型二极管的方法包括：形成堆叠于导电衬底的电子传输层，其中，导电衬底包括衬底和导电膜，衬底、导电膜及电子传输层依次堆叠；形成堆叠于电子传输层的碘化铅层，形成碘化铅层的步骤包括：通过匀胶工艺在电子传输层涂覆碘化铅前驱体溶液，碘化铅前驱体溶液的溶质浓度在0.5mol/L至1mol/L的范围，碘化铅前驱体溶液的溶质为纯度大于或等于99%的碘化铅；以及形成依次堆叠于碘化铅层的空穴传输层及电极层。该方法可用于制造具有高整流性能，并保证了对光照
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116884852 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202311131162.4
(22)申请日 2023.09.04
(71)申请人 之江实验室
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