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本公开提供一种半导体结构和半导体结构的制备方法，半导体结构包括：衬底、栅介质层和字线，衬底包括间隔设置的多个有源区，衬底中具有间隔排布的多个字线沟槽，字线沟槽暴露有源区；栅介质层覆盖字线沟槽的槽壁，字线包括第一导电层和第二导电层，第一导电层位于栅介质层上，第二导电层位于第一导电层上，第一导电层的功函数小于第二导电层的功函数。字线还包括功函数较大的第二导电层，从而可以提高字线的功函数，以增大晶体管的阈值电压，从而提升晶体管的抗干扰能力和可靠性。因此，本公开提供的半导体结构和半导体结构的制备方法，可
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116896884 A
(43)申请公布日 2023.10.17
(21)申请号 202310987574.1
(22)申请日 2023.08.07
(71)申请人 长鑫科技集团股份有限公司
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