窄谱带蓝光Cu-Ga-S/ZnS纳米晶的制备方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约9.82千字
约 9页
2023-10-18 发布于四川
举报
版权申诉

窄谱带蓝光Cu-Ga-S/ZnS纳米晶的制备方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供一种窄谱带蓝光Cu‑Ga‑S/ZnS纳米晶的制备方法，属于量子点合成技术领域，基于热注射法制备窄谱带蓝光Cu‑Ga‑S/ZnS纳米晶，制备使用的药品为IB族、IIIA族金属盐及VIA族单质、化合物；光致发光光谱半峰全宽小于50nm，光致发光峰位于470‑480nm处。本发明Cu‑Ga‑S纳米晶使用ZnS壳层包覆后，在量子点表面形成梯度分布的富锌合金结构，在470‑480nm处出现明显的窄谱带光致发光峰，半峰全宽为36‑46nm，实现了窄谱带发光特性，具有构筑电致发光器件的前景；具有优异

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116891738 A (43)申请公布日 2023.10.17 (21)申请号 202310858144.X (22)申请日 2023.07.13 (71)申请人北京交通大学